FGA50N100BNTDTU دیتاشیت

FGA50N100BNTD

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FGA50N100BNTD
حجم فایل 356.594 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت FGA50N100BNTD

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: onsemi FGA50N100BNTDTU
  • Package: TO-3P
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • IGBT Type: NPT and Trench
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 50A
  • Current - Collector Pulsed (Icm): 100A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
  • Power - Max: 156W
  • Switching Energy: -
  • Input Type: Standard
  • Gate Charge: 275nC
  • Td (on/off) @ 25°C: -
  • Test Condition: -
  • Reverse Recovery Time (trr): 1.5µs
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
  • Supplier Device Package: TO-3P
  • Base Part Number: FGA50
  • detail: IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P

محصولات مشابه