FDU6N25 دیتاشیت

FDU6N25

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FDU6N25
حجم فایل 539.926 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FDU6N25

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: UniFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2.2A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I-PAK
  • Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Base Part Number: FDU6
  • detail: N-Channel 250V 4.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole I-PAK

محصولات مشابه