FCP165N65S3 دیتاشیت

FCP165N65S3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FCP165N65S3
حجم فایل 388.749 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FCP165N65S3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: SuperFET® III
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 400V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220-3
  • Package / Case: TO-220-3
  • Base Part Number: FCP165
  • detail: N-Channel 650V 19A (Tc) 154W (Tc) Through Hole TO-220-3

محصولات مشابه