onsemi NTMFS4852NT1G دیتاشیت

NTMFS4852N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTMFS4852N
حجم فایل 130.959 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت NTMFS4852N

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 900mW;86.2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 71.3nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.97nF@12V
  • Continuous Drain Current (Id): 16A;155A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.1mΩ@30A,10V
  • Package: SO-8

محصولات مشابه