FQPF630 دیتاشیت

FQPF630

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQPF630
حجم فایل 577.938 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FQPF630

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.15A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220F
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
  • Base Part Number: FQPF6
  • detail: N-Channel 200V 6.3A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F

محصولات مشابه