FCP150N65F دیتاشیت

FCP150N65F

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FCP150N65F
حجم فایل 1721.08 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت FCP150N65F

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: HiPerFET™, Polar™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3737pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220-3
  • Package / Case: TO-220-3
  • Base Part Number: FCP150
  • detail: N-Channel 650V 24A (Tc) 298W (Tc) Through Hole TO-220-3

محصولات مشابه