FCP110N65F دیتاشیت

FCP110N65F

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FCP110N65F
حجم فایل 819.781 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FCP110N65F

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: FRFET®, SuperFET® II
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220-3
  • Package / Case: TO-220-3
  • Base Part Number: FCP11
  • detail: N-Channel 650V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-220-3

محصولات مشابه