NVBGS4D1N15MC دیتاشیت

NVBGS4D1N15MC

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NVBGS4D1N15MC
حجم فایل 87.638 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NVBGS4D1N15MC-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

NVBGS4D1N15MC 7 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NVBGS4D1N15MC
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.7W;316W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 88.9nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 150V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 7.285nF@75V
  • Continuous Drain Current (Id): 20A;185A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4.5V@574uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 10.6pF@75V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.3mΩ@10V,104A
  • Package: D2PAK(TO-263)

محصولات مشابه