NTNS3A65PZT5G دیتاشیت

NTNS3A65PZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTNS3A65PZ
حجم فایل 133.859 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت NTNS3A65PZ-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: P-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 281mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44pF @ 10V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 155mW (Ta)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
  • Package / Case: SC-101, SOT-883
  • Base Part Number: NTNS3
  • detail: P-Channel 20V 281mA (Ta) 155mW (Ta) Surface Mount SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

محصولات مشابه