FSB660A دیتاشیت

FSB660A

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FSB660A
حجم فایل 50.018 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت FSB660A

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi FSB660A
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 2A
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Transition Frequency (fT): 75MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 250@500mA,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 60V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@1A,100mA
  • Package: SSOT-3L
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: -
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • Current - Collector (Ic) (Max): 2A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
  • Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
  • Power - Max: 500mW
  • Frequency - Transition: 75MHz
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Supplier Device Package: 3-SSOT
  • Base Part Number: FSB660
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 500mW Surface Mount 3-SSOT

محصولات مشابه