2SC5658M3T5G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
2SC5658M3T5G
|
|
حجم فایل
|
86.497
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
6
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
-
Datasheet:
onsemi 2SC5658M3T5G
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
-
-
Collector Current (Ic):
100mA
-
Power Dissipation (Pd):
260mW
-
Transition Frequency (fT):
180MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
120@1mA,6V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
500nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
50V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
400mV@50mA,5mA
-
Package:
SOT-723
