NST848BF3T5G دیتاشیت

NST848BF3T5G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NST848BF3T5G
حجم فایل 79.831 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت NST848BF3T5G-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

NST848BF3T5G 4 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
  • Datasheet: onsemi NST848BF3T5G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 290mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 30V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 600mV@5mA,100mA
  • Package: SOT-1123-3

محصولات مشابه