FQT7N10TF دیتاشیت

FQT7N10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQT7N10
حجم فایل 798.929 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FQT7N10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: SOT-223-4
  • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
  • Base Part Number: FQT7
  • detail: N-Channel 100V 1.7A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4

محصولات مشابه