FQT2P25TF دیتاشیت

FQT2P25

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQT2P25
حجم فایل 1015.116 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FQT2P25

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: P-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 275mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: SOT-223-4
  • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
  • Base Part Number: FQT2
  • detail: P-Channel 250V 550mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4

محصولات مشابه