NTHS4166N دیتاشیت

NTHS4166N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTHS4166N
حجم فایل 122.161 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت NTHS4166N

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

NTHS4166NT1G 8 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTHS4166NT1G
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 800mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 18nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 900pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.3V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 22mΩ@4.9A,10V
  • Package: ChipFET-8

محصولات مشابه