NSS40302PDR2G دیتاشیت

NSS40302PDR2G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSS40302PDR2G
حجم فایل 89.604 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت NSS40302PDR2G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • type: NPN+PNP
  • Package: SOIC-8
  • Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
  • Manufacturer: onsemi
  • DC Current Gain: 200@10mA,2.0V
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Pd - Power Dissipation: 576mW
  • Current - Collector(Ic): 6A
  • Transition frequency(fT): 100MHz
  • Vce Saturation(VCE(sat)): 8mV
  • Current - Collector Cutoff: 100nA
  • Collector - Emitter Voltage VCEO: 40V

محصولات مشابه