FDD10N20LZTM دیتاشیت

FDD10N20LZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FDD10N20LZ
حجم فایل 737.439 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FDD10N20LZ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: UniFET™
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.8A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: DPAK
  • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Part Number: FDD10
  • detail: N-Channel 200V 7.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount DPAK

محصولات مشابه