HUF76609D3S دیتاشیت

HUF76609D3S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HUF76609D3S
حجم فایل 868.074 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت HUF76609D3S-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

HUF76609D3ST 12 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi HUF76609D3ST
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 49W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 16nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 425pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 10A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 160mΩ@10A,10V
  • Package: TO-252AA

محصولات مشابه