NSV1C301ET4G دیتاشیت

NSV1C301ET4G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSV1C301ET4G
حجم فایل 73.062 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت NSV1C301ET4G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

NSV1C301ET4G-VF01 6 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
  • Datasheet: onsemi NSV1C301ET4G-VF01
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -65°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 3A
  • Power Dissipation (Pd): 2.1W
  • Transition Frequency (fT): 120MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 120@1A,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 100V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 115mV@3A,300mA
  • Package: DPAK

محصولات مشابه