FDD6N50F دیتاشیت

FDD6N50F

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FDD6N50F
حجم فایل 729.52 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FDD6N50F-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FDD6N50FTM 10 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FDD6N50FTM
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 89W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 19.8nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 500V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 960pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 5.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.15Ω@2.75A,10V
  • Package: TO-252

محصولات مشابه