HUF75631S3S دیتاشیت

HUF75631S3S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HUF75631S3S
حجم فایل 820.378 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت HUF75631S3S-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

HUF75631S3ST 12 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi HUF75631S3ST
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 120W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 79nC@20V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.22nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 33A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 40mΩ@33A,10V
  • Package: TO-263AB

محصولات مشابه