HGTD7N60C3S, HGTP7N60C3 دیتاشیت

HGTD7N60C3S, HGTP7N60C3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HGTD7N60C3S, HGTP7N60C3
حجم فایل 292.581 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت HGTD7N60C3S, HGTP7N60C3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Transistors/Thyristors/IGBT Transistors / Modules
  • Datasheet: onsemi HGTD7N60C3S9A
  • Operating Temperature: -40°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 14A
  • Power Dissipation (Pd): 60W
  • Input Capacitance (Cies@Vce): -
  • Turn?on Switching Loss (Eon): 0.165mJ
  • Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): 23nC
  • Turn?off Switching Loss (Eoff): 0.6mJ
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 600V
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 2V@15V,7A
  • Package: TO-252AA

محصولات مشابه