NVMYS1D3N04CTWG دیتاشیت

NVMYS1D3N04CTWG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NVMYS1D3N04CTWG
حجم فایل 92.028 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

دانلود دیتاشیت NVMYS1D3N04CTWG

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

NVMYS1D3N04C 6 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NVMYS1D3N04CTWG
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.9W;134W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 75nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4855pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 43A;252A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@180uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.15mΩ@50A,10V
  • Package: LFPAK-4
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: *
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
  • Package / Case: SC-100, SOT-669
  • Base Part Number: NVMYS1
  • detail: Surface Mount LFPAK4 (5x6)

محصولات مشابه