NTBS2D7N06M7 دیتاشیت

NTBS2D7N06M7

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTBS2D7N06M7
حجم فایل 77.799 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NTBS2D7N06M7-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTBS2D7N06M7
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 176W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 110nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 6.655nF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 110A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 57pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.2mΩ@10V,80A
  • Package: TO-263

محصولات مشابه