FDB44N25TM دیتاشیت

FDB44N25TM

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FDB44N25TM
حجم فایل 70.016 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FDB44N25TM

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

DB3, DB4, SMDB3 11 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FDB44N25TM
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 307W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 61nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 250V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2870pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 44A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 69mΩ@22A,10V
  • Package: TO-263-3
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Active
  • Voltage - Breakover: 35 ~ 45V
  • Current - Breakover: 50µA
  • Current - Peak Output: 2A
  • Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
  • Supplier Device Package: DO-35
  • Base Part Number: DB4
  • detail: Diac/Sidac Thyristor 35 ~ 45V DO-35

محصولات مشابه