KSB1151YSTU دیتاشیت

KSB1151YSTU

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت KSB1151YSTU
حجم فایل 57.025 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت KSB1151YSTU

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

KSB1151 6 pages

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • Transistor Type: PNP
  • Current - Collector (Ic) (Max): 5A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
  • Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2A, 1V
  • Power - Max: 1.3W
  • Frequency - Transition: -
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
  • Supplier Device Package: TO-126-3
  • Base Part Number: KSB11
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 5A 1.3W Through Hole TO-126-3

محصولات مشابه