FQPF85N06 دیتاشیت

FQPF85N06

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQPF85N06
حجم فایل 591.52 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FQPF85N06

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220F
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
  • Base Part Number: FQPF8
  • detail: N-Channel 60V 53A (Tc) 62W (Tc) Through Hole TO-220F

محصولات مشابه