MJE4343, 53 دیتاشیت

MJE4343, 53

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJE4343, 53
حجم فایل 135.866 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت MJE4343, 53

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

MJE4343G 10 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
  • Datasheet: onsemi MJE4343G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -65°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 16A
  • Power Dissipation (Pd): 125W
  • Transition Frequency (fT): 1MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 15@8A,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 750uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 160V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 3.5V@16A,2A
  • Package: TO-247-3