FCP650N80Z دیتاشیت

FCP650N80Z Datasheet

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FCP650N80Z Datasheet
حجم فایل 683.452 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FCP650N80Z Datasheet

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: SuperFET® II
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565pF @ 100V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220
  • Package / Case: TO-220-3
  • Base Part Number: FCP650
  • detail: N-Channel 800V 10A (Tc) 162W (Tc) Through Hole TO-220

محصولات مشابه