FQI13N50CTU دیتاشیت

FQI13N50C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQI13N50C
حجم فایل 600.263 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FQI13N50C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
  • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Part Number: FQI1
  • detail: N-Channel 500V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)

محصولات مشابه