FDI150N10 دیتاشیت

FDI150N10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FDI150N10
حجم فایل 683.639 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FDI150N10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: PowerTrench®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 49A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
  • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Part Number: FDI150
  • detail: N-Channel 100V 57A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)

محصولات مشابه