SBCP68T1G دیتاشیت

SBCP68T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SBCP68T1G
حجم فایل 97.048 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت SBCP68T1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi SBCP68T1G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -65°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 1A
  • Power Dissipation (Pd): 1.5W
  • Transition Frequency (fT): 60MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 85@100mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 10uA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 20V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@1A,100mA
  • Package: SOT-223
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Current - Collector (Ic) (Max): 1A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
  • Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V
  • Power - Max: 1.5W
  • Frequency - Transition: -
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
  • Supplier Device Package: SOT-223-4
  • Base Part Number: BCP68
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 1A 1.5W Surface Mount SOT-223-4

محصولات مشابه