FDMS86163P دیتاشیت

FDMS86163P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FDMS86163P
حجم فایل 87.139 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

دانلود دیتاشیت FDMS86163P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FDMS86163P 10 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: -
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FDMS86163P
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 104W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 59nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.085nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 35pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 22mΩ@10V,7.9A
  • Package: PQFN-8(4.9x5.8)

محصولات مشابه