FQB33N10L دیتاشیت

FQB33N10L

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQB33N10L
حجم فایل 1023.403 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FQB33N10L

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FQB33N10LTM 10 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FQB33N10LTM
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.75W;127W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 30nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.25nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 33A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 70pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 39mΩ@10V,16.5A
  • Package: D2PAK

محصولات مشابه