2SB1123T-TD-E دیتاشیت

2SB1123T-TD-E

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت 2SB1123T-TD-E
حجم فایل 53.49 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت 2SB1123T-TD-E-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

2SB1123/2SD1623 8 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi 2SB1123T-TD-E
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 2A
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Transition Frequency (fT): 150MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@100mA,2V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@50mA,1mA
  • Package: SOT-89
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: *
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Discontinued at Digi-Key
  • Base Part Number: 2SB1123
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor

محصولات مشابه