NTNS0K8N021Z دیتاشیت

NTNS0K8N021Z

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTNS0K8N021Z
حجم فایل 146.012 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت NTNS0K8N021Z-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTNS0K8N021ZTCG
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 125mW
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 12.3pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 220mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 2.5pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.5Ω@4.5V,220mA
  • Package: XDFN-3(0.4x0.6)

محصولات مشابه