NSVDTA115EET1G دیتاشیت

MUN(2,5)136, DTA115Exx

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MUN(2,5)136, DTA115Exx
حجم فایل 91.051 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت MUN(2,5)136, DTA115Exx

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: Automotive, AEC-Q101
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Active
  • Transistor Type: PNP - Pre-Biased
  • Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
  • Resistor - Base (R1): 100 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
  • Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
  • Power - Max: 200mW
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: SC-75, SOT-416
  • Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
  • Base Part Number: NSVDTA115
  • detail: Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416