NSVDTC123JM3T5G دیتاشیت

NSVDTC123JM3T5G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSVDTC123JM3T5G
حجم فایل 90.323 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت NSVDTC123JM3T5G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi NSVDTC123JM3T5G
  • Package: SOT-723
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: Automotive, AEC-Q101
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Active
  • Transistor Type: NPN - Pre-Biased
  • Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
  • Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
  • Power - Max: 260mW
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: SOT-723
  • Supplier Device Package: SOT-723
  • Base Part Number: NSVDTC123
  • detail: Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723

محصولات مشابه