NST856BF3T5G دیتاشیت

NST856BF3T5G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NST856BF3T5G
حجم فایل 80.248 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت NST856BF3T5G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

NST856BF3T5G 4 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
  • Datasheet: onsemi NST856BF3T5G
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 290mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 220@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 65V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 800mV@5mA,100mA
  • Package: SOT-1123-3

محصولات مشابه