MMBT5088LT1, 5089LT1 دیتاشیت

MMBT5088LT1, 5089LT1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MMBT5088LT1, 5089LT1
حجم فایل 187.526 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

دانلود دیتاشیت MMBT5088LT1, 5089LT1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi SMMBT5088LT1G
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 50mA
  • Power Dissipation (Pd): 300mW
  • Transition Frequency (fT): 50MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 300@100uA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 50nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 30V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 500mV@1mA,10mA
  • Package: SOT-23-3
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: *
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Base Part Number: MMBT5088
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor