onsemi NTZD3158PT1G دیتاشیت

NTZD3158PT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTZD3158PT1G
حجم فایل 99.33 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت NTZD3158PT1G-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 P-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTZD3158PT1G
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 280mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 1.7nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 105pF@16V
  • Continuous Drain Current (Id): 430mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 10pF@16V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 500mΩ@4.5V,430mA
  • Package: SOT-563

محصولات مشابه