SMUN5116DW1T1G دیتاشیت

MUN5116DW1T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MUN5116DW1T1G
حجم فایل 85.43 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت MUN5116DW1T1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: onsemi SMUN5116DW1T1G
  • Package: SC-88-6(SC-70-6)
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: -
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
  • Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2): -
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
  • Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
  • Frequency - Transition: -
  • Power - Max: 250mW
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Part Number: MUN51
  • detail: Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

محصولات مشابه