NSS20201MR6T1G دیتاشیت

NSS20201MR6T1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NSS20201MR6T1G
حجم فایل 42.739 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت NSS20201MR6T1G-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Active
  • Transistor Type: NPN
  • Current - Collector (Ic) (Max): 2A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 100mA, 1A
  • Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V
  • Power - Max: 460mW
  • Frequency - Transition: 200MHz
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: SOT-23-6
  • Supplier Device Package: 6-TSOP
  • Base Part Number: NSS202
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 2A 200MHz 460mW Surface Mount 6-TSOP

محصولات مشابه