FQU12N20TU دیتاشیت

FQD12N20, FQU12N20

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQD12N20, FQU12N20
حجم فایل 1084.665 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت FQD12N20, FQU12N20

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 55W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I-PAK
  • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Part Number: FQU1
  • detail: N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole I-PAK

محصولات مشابه