FQPF19N10 دیتاشیت

FQPF19N10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQPF19N10
حجم فایل 1456.006 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FQPF19N10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220F
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
  • Base Part Number: FQPF1
  • detail: N-Channel 100V 13.6A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F

محصولات مشابه