FQPF4N90CT دیتاشیت

FQP(F)4N90C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQP(F)4N90C
حجم فایل 1374.919 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت FQP(F)4N90C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220F
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack
  • Base Part Number: FQPF4
  • detail: N-Channel 900V 4A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F

محصولات مشابه