FQPF9N25CYDTU دیتاشیت

FQPF9N25C(T)

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQPF9N25C(T)
حجم فایل 558.961 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FQPF9N25C(T)

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Package: TO-220-3
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
  • Base Part Number: FQPF9
  • detail: N-Channel 250V 8.8A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

محصولات مشابه