FQI7N80TU دیتاشیت

FQI7N80

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQI7N80
حجم فایل 1126.531 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FQI7N80

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.3A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 167W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
  • Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Part Number: FQI7
  • detail: N-Channel 800V 6.6A (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)

محصولات مشابه