FQB7N60, FQI7N60 دیتاشیت

FQB7N60, FQI7N60

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQB7N60, FQI7N60
حجم فایل 821.002 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت FQB7N60, FQI7N60-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FQI7N60TU 9 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-Channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FQI7N60TU
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.13W;142W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 38nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.43nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 7.4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1Ω@3.7A,10V
  • Package: I2PAK(TO-262)

محصولات مشابه