FGA6530WDF دیتاشیت

FGA6530WDF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FGA6530WDF
حجم فایل 508.268 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FGA6530WDF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: onsemi FGA6530WDF
  • Package: TO-3P
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • IGBT Type: Trench Field Stop
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 60A
  • Current - Collector Pulsed (Icm): 90A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
  • Power - Max: 176W
  • Switching Energy: 960µJ (on), 162µJ (off)
  • Input Type: Standard
  • Gate Charge: 37.4nC
  • Td (on/off) @ 25°C: 12ns/42.4ns
  • Test Condition: 400V, 30A, 6Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 81ns
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
  • Supplier Device Package: TO-3PN
  • Base Part Number: FGA65
  • detail: IGBT Trench Field Stop 650V 60A 176W Through Hole TO-3PN

محصولات مشابه